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產(chǎn)品展示
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英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

型    號: FZ1200R16KF4-S1
報(bào)    價(jià): 18888
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英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
1700V IGBT英飛凌FZ1500R33HL3_S2

詳細(xì)資料:

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;可控硅,電容,電源,風(fēng)機(jī),傳感器,IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;變頻器配件 ,驅(qū)動板,控制板 ,CUVC板

西門子變頻器IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

產(chǎn)品參數(shù):

 

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,配有第四代 溝槽柵/場終止 IGBT,

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊,具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應(yīng)用的解決方案

 

3300V IGBT模塊型號:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D


 

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

 

如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj?

 

ChatGPT是這樣說的:


要計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj,需要考慮以下幾個(gè)因素:

1

IGBT芯片的功率損耗。這個(gè)值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結(jié)溫就越高。

2

IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。

3

外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會影響散熱效果。

 

如果考慮了以上因素后,可以使用以下公式計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

Tvj = Ta + Pd*Rthjc


其中, Ta是環(huán)境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結(jié)合部的熱阻。

 

需要注意的是,這個(gè)公式只考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個(gè)系統(tǒng)的散熱能力。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,還需要結(jié)合具體的系統(tǒng)情況來確定IGBT器件的工作結(jié)溫。

1700V IGBT模塊型號:

 

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4

 

 

FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2

 

FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B)
1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4

 


 

 

特征描述

  • 高直流電壓穩(wěn)定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路電流

  • 低開關(guān)損耗

  • 出色的堅(jiān)固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat,具有正溫度系數(shù)

  • 鋁碳化硅基板,用于提高熱循環(huán)能力

  • 封裝的 CTI > 600

  • 絕緣基板

 

 

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

產(chǎn)品規(guī)格:

IGBT 類型:溝槽型場截止

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿:1700 V

電流 - 集電極 (Ic):2400 A

電流 - 集電極截止:100 µA

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

輸入:標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻:無

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

產(chǎn)品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A,1700V半橋模塊

的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

在過載情況下工作結(jié)溫可達(dá)到175°C

壓接式控制引腳

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

優(yōu)勢:

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

不間斷電源(UPS)

儲能系統(tǒng)

電機(jī)控制和驅(qū)動

商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

變頻器

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板,電源板,通信板,接口板

操作面板

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

電動機(jī)

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機(jī)

電源轉(zhuǎn)換器與反相器

電感充電器

電磁爐

英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4-S1

第七代IGBT型號:

 

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

 

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

 

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